A | 　　讯 8月19日，中共山西省委宣传部、山西省人民政府新闻办公室举办开局起步“十五五”系列主题新闻发布会（晋中市专场）。　　当地时间8月23日，半导体行业研究机构SemiAnalysis发文称，NAND闪存制造正从钨转向钼，因为当NAND来到300层以上，钼是必选项。　　SemiAnalysis分析，3D NAND闪存堆叠层数突破300层后，钨字线在电阻、化学兼容性和深孔填充三方面均触及物理极限，钼成为强制替代材料。　　会上，晋中市委常委、常务副市长张鹏介绍，晋中是文旅大市。近年来，持续推进文旅深度融合，“怡然晋中·甜美城市”出彩出圈，文旅业增加值占地区生产总值比重达到6%，成为促进群众就业、扩大服务消费、拉动经济增长的重要引擎。

B | 三星已于2024年量产，美光2025年跟进，SK海力士计划2026年底推出375层钼工艺产品。其估计，钼在NAND总产能中的占比将从2025年的中个位数百分比，增长至2027年的约30%。　　更进一步的，该机构提出，钼沉积设备将在明年迎来超10亿美元的新增市场。“十五五”期间，将坚持旅游为民，以游客为中心，持续放大“怡然晋中·甜美城市”品牌效应，持续深耕中国传统文化、太行山水艺术、休闲度假美食“三大主题之旅”，加快把文旅业打造成全市战略性支柱产业、民生产业、幸福产业。　　一是做深提质文章，打造高品质旅居目的地。　　该机构称，每一次从钨到钼的转换，都意味着需要新的沉积设备。SemiAnalysis估计，仅2027年一年，NAND钼沉积设备的销售额就将超过10亿美元，并随着DRAM和逻辑芯片的跟进，到2030年增长至约20亿美元/年。　　受益格局方面，Lam Research（泛林集团）最先获益，TEL（东京电子）紧随其后；AMAT（应用材料）、ASMI（ASM国际）及Naura（北方华创）则更多受益于后续DRAM和逻辑芯片的转型浪潮。以“怡然见晋中”统揽全市文旅资源，深入实施旅游景区强基焕新行动，支持平遥古城、乔家大院等头部景区迭代升级。SemiAnalysis表示，完整的细分市场层面测算已纳入其前道设备（WFE）模型。以63家A级景区矩阵为主体，丰富高品质旅游供给，配套一批“怡然宿集”精品民宿、“怡然味道”特色餐饮、“怡然晋品”非遗文创，构建全域全季全龄产品矩阵，让“怡然”可感知、可消费、可传播。

C | 　　二是做活场景文章，打造高人气消费集聚地。　　钼渗透率在高层数NAND中提升，本质是为延续NAND单位Bit成本下降曲线。　　300层NAND主要在结构上升级，聚焦超高深宽比通道孔刻蚀、多次Stack堆叠、晶圆翘曲控制以及Overlay精度控制。加快中心城区向旅游休闲城市转型，整合盘活城市空间，持续丰富新业态。　　375层乃至400层以后，材料亟需升级，因钨字线会因为字线间距通道孔缩小面临RC延迟快速恶化、WF残氟导致介质损伤、漏电失效率提升以及填充缺陷放大的问题。

D | 将景区、街区、商圈、文博场馆串珠成链，深耕夜间经济，打造和提升一批光影演艺、城市书房、深夜食堂、非遗工坊、户外露营地、田园艺术季、青春音乐节等新空间新场景，顺应城市群微度假趋势，推动商旅双向引流，让夜晚“亮”起来、人气“聚”起来、消费“活”起来。而钼凭借更低电阻率、无氟前驱体及无需阻隔层等优势，有望改善RC性能与器件可靠性，为字线和存储孔缩放提供工艺余量，从而延续高层数NAND的成本下降曲线。　　三是做精融合文章，打造高标准产业示范地。

E | 坚持文旅牵引、百业赋能、全域融合，做强“文旅+康养”，做活“文旅+文创”，做热“文旅+美食”，做亮“文旅+体育”，做新“文旅+科技”，推动文旅与一二三次产业跨界联动，延伸产业链、创造新价值，让旅游“流量”变为经济“增量”。　　中银证券表示，SK海力士已完成375层3D NAND生产验证并计划2026年底量产，拟采用钼材料替代钨制作字线，继三星在286层第九代3D NAND中率先导入钼工艺后，两大存储龙头相继切换，钼替代钨趋势确立。　　四是做优服务文章，打造高便捷游客体验地。以优质服务换口碑，以良好体验留游客，以厚道晋中赢长久。　　然而，钼的材料加工更为复杂，因为必须以气体形式输送，且前驱物在室温下为固体，需要加热器以确保流动稳定性。

F | 　　基于此，300层以上3D NAND字线由钨切换为钼，并不是简单更换靶材或者更换气体材料，而是前驱体供给、ALD沉积腔体、刻蚀、清洗、尾气处理整套工艺链条的重构，原有钨CVD产线硬件无法直接复用，将直接推动晶圆厂资本开支上行，同时设备、特种材料、零部件均迎来变化。完善全域文旅服务保障体系，紧盯游客急难愁盼，刚性落实游客投诉5分钟响应、一小时快处的工作机制，全方位净化优化旅游环境，让游客暖心在晋中、满意在晋中。

G | 　　爱建证券表示，钼导入本质是一次全流程工艺重构，设备链受益有望沿“沉积及前驱体输送→CMP及清洗→刻蚀→量检测”路径传导，工艺难点由沉积向后处理环节延伸。版权申明：凡注有“”或电头为“”的稿件，均为独家版权所有，未经许可不得转载或镜像；授权转载必须注明来源为“”，并保留“”的电头。。其中——　　沉积：成熟的WF钨工艺，Mo沉积需重新建立高深宽比结构下的填充与缺陷控制工艺窗口，同时有望减少阻隔层使用，带动沉积设备及配套工艺升级；　　输送：Mo前驱体通常采用低挥发性固态源，与传统WF气态前驱体体系差异较大，需要新增气化装置、温控管路及精密供气系统，以保障前驱体稳定输送；　　CMP：Mo材料的氧化及表面化学特性不同于传统金属体系，需重新开发CMP研磨液和研磨垫，以满足平坦化、去除速率及缺陷控制要求；　　清洗：Mo导入后残留物及氧化物体系发生变化，高深宽比结构下金属残留和污染控制难度提升，有望推动相关湿法清洗设备及配套化学品验证导入；　　刻蚀环节则需重新建立适配钼材料的工艺窗口，且3DNAND层数持续提升下，刻蚀选择性、侧壁形貌控制及层间均匀性要求进一步提高，有望带动相关刻蚀设备升级需求；　　量检测：Mo量产还需新增膜厚均匀性、填充缺陷、金属残留及电学可靠性等监控项目，有望带动薄膜量测、缺陷检测及电性测试等设备需求增长。